＜装置の概要＞

　放電形式に誘導結合方式（Inductively Coupled Plasma）を採用したMEMS、電子部品用途のボッシュプロセスに対応した高速シリコンディープエッチング装置です。
　ロバートボッシュ社（独）が有するシリコンディープエッチングに関する特許をライセンス導入しており、MEMSに求められるシリコンの高速かつ高異方性エッチングに対応した高速シリコンディープエッチング装置です。